| Materiaal | Ceramica, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
|---|---|
| Isolatiesterkte | ≥15KV/mm |
| Werktemperatuur | tot 1000°C |
| grootte | Verscheidene afmetingen beschikbaar |
| Ruwheid van het oppervlak | 0.3-08. |
| Warmteafvoer | Efficiënt |
|---|---|
| Materiaal | Ceramica, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
| Duurzaamheid | Langdurig |
| Temperatuurbestendigheid | < 700°C |
| Toepassing | Transistor, MOSFET, Schottky-diode, IGBT, High-Density Switching Power Supply, High-Frequency Commun |
| Gewicht | lichtgewicht |
|---|---|
| Warmteafvoer | Efficiënt |
| Ruwheid van het oppervlak | 0.3-08. |
| Dichtheid | 30,7 g/cm3 |
| Isolatiesterkte | ≥15KV/mm |
| Materiaal | Ceramica, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
|---|---|
| Warpage | ≤ 2‰ |
| Mechanische sterkte | ≥3000MPa |
| Warmteafvoer | Efficiënt |
| Duurzaamheid | Langdurig |
| Gewicht | lichtgewicht |
|---|---|
| Grootte | Verscheidene afmetingen beschikbaar |
| Warmtegeleidbaarheid | 9~180 MW/m.K. |
| Ruwheid van het oppervlak | 0.3-08. |
| Warpage | ≤ 2‰ |
| Warmtegeleidbaarheid | 9~180 MW/m.K. |
|---|---|
| Warpage | ≤ 2‰ |
| Duurzaamheid | Langdurig |
| Temperatuurbestendigheid | < 700°C |
| Mechanische sterkte | ≥3000MPa |